四氟化碳这种含氟有机化合物作为蚀刻二氧化硅和氧化硅这样的介质材料已成熟运用多年，也是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体。其混合气体即四氟化碳和氧气的混合、与氢的混合均

在硅系列、薄膜蚀刻领域广泛应用。同时在低温下可作为低温流体用，也在制冷、体绝缘、氟化剂、表面处理剂和激光气体泄露检验剂有一定的应用空间。四氟化碳的广泛应用，其产品质量要求也

相应的较为明确、规范。目前行业内较为成熟的分析方法主要检测四氟化碳中的氧（O2）、氮（N2）、一氧化碳（CO）、二氧化碳（CO2）、六氟化硫（SF6）、水（H2O）、氟化物（以 HF 

计）和氟碳化合物杂质。氟碳化合物一般含有六氟乙烷（C2F6）、八氟烷（C3F8）和氟甲烷（CHmFn）。正常情况通过配合配备有PDD 检测器的气相色谱加上中心切割都能够完成全部杂质的定性

和定量，作为不活泼气体四氟化碳的水分分析也较为简单常规。目前伴随着四氟化碳出口量的增加，客户对杂质的要求也越来越全面，越来越严格。三氟化氮（NF3）这种隐形杂质作为最新的指标

规格也出现在书面要求中。

化氢及合成反应中，水分及空气的影响会涉及到副产物三氟化氮的生成，在提纯工艺中，一般为吸附精馏法提高四氟化碳的纯度，而两者沸点相差只有 1℃，所以在提纯工艺上也是较难以去除。国

内客户在对使用四氟化碳气体中很少有对三氟化氮的杂质含量提出要求，作为行业内四氟化碳生产中含有微量三氟化氮也是习以为常，本文探讨一种简易的气相色谱法对四氟化碳中的三氟化氮含量

进行定性定量分析。