进入20世纪90年代以后，随着我国高新技术的快速发展，计算机工业对大规模集成电路、液晶显示器的需求大量增加；随着新型能源的发展，我国大力开拓了多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的生产；此外，新型电光源、光电半导体器件（GaAs、InP、AlGaAs）、光纤通讯器件也获得迅猛发展，在上述高新产品的生产中，都需要大量高纯气体，以制造出性能可靠的各种器件。

大规模集成电路

化学气相沉淀：SiH4，NH3，O2，N2O，TEOS（四乙氧基硅）

化学刻蚀：CF4，SF6，NF3，Cl2，CCl，BCl3，KrF，ArF，HBr，HCl

化学掺杂：BF3，B2H6，PH3，AsH3

液晶屏

化学气相沉淀：SiH4，SiNx

化学刻蚀：SF6，HCl，Cl2

太阳能电池

化学气相沉淀：SiH4，NH3，NF3

扩散、刻蚀：POCl3，O2，CF4

光电半导体

化学气相沉淀：AsH3，PH3，NH3，N2，H2

化学刻蚀：BCl3，Cl2

光导纤维

化学气相沉淀：SiH4，SiCl4，D2，GeCl4

化学刻蚀：CF4，KrF，ArF，Cl2，SF6